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最后,第三个瓶颈:先进节点迁移自身的摩擦。为了在晶圆产能有限的情况下尽量多产出内存位,三大厂商都在加速向1b(目前最尖端的量产节点)和1c(即将进入大规模量产的下一代节点)先进节点迁移,因为制程越先进,意味着电路刻蚀得越细,在同样大小的一片晶圆上,1c节点能切出的存储颗粒数量比1b更多。

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网友评论

  • 资深用户

    难得的好文,逻辑清晰,论证有力。

  • 每日充电

    干货满满,已收藏转发。

  • 每日充电

    关注这个话题很久了,终于看到一篇靠谱的分析。

  • 知识达人

    内容详实,数据翔实,好文!